Enregistreur puce mémoire GDDR5 de Hynex
La production en série de la puce mémoire présentée ci-dessous débutera au premier semestre de l'année prochaine.
La DRAM GDDR1 de 128 Gbits (5 Mo) d'Hynix a volé le titre le plus rapide du produit similaire de Samsung, étant 6, tandis qu'Hynix affiche 7 Gbit/s. La puce de 54 nanomètres atteint ce rythme à une tension de fonctionnement de 1,35 V.
La puce mémoire, appelée H5GQ1H24AFR, a également suscité l'intérêt de NVIDIA et d'AMD, ce qui rend presque certain qu'elle se retrouvera avec la plupart des contrôleurs graphiques haut de gamme des sociétés susmentionnées à l'avenir.
