Mémoire 80 nm de Samsung
Samsung a introduit une puce DRAM d'une capacité de 80 Go avec une technologie de 1 nanomètres.
La technologie de fabrication de bande passante de 80 nanomètres permet de réduire le coût de fabrication des puces mémoire. En conséquence, le prix des modules DDR2 encore très rares de 4 et 2 gigaoctets pourrait être encore réduit. Les puces 90 nm 1 Gbit mesurent 11 × 18 mm, tandis que la nouvelle mémoire Samsung ne mesure que 11 × 11,5 mm.
La South Early Company prévoit d'augmenter la part de marché des DRAM à 2008 milliards de dollars d'ici 37,8, tandis que la part de marché des puces de 1 Gbit passera de 8 % actuellement à 36 % en deux ans.
